功率半导体及芯片制造商万国半导体AOS两款产品AOTF11C60 和 AOTF20C60 -采用AlphaMOS™ II 技术的600V MOSFET。

AlphaMOS™ II技术集超结技术的低内阻特性与平面工艺的强壮性于一体，是兼顾高效率和高可靠性的理想解决方案。AOTF11C60和AOTF20C60适用于服务器电源、网络通信电源、不间断电源、光伏逆变、工业马达控制系统以及LED照明等。

采用AlphaMOS II技术，只需要简单的工艺制程就可以达到超结MOSFET的性能。AOTF11C60和AOTF20C60与市场上的同规格超结器件相比，具有更高的雪崩能量。另外AlphaMOS II系列产品优化了开关参数，提高效率的同时降低了开关噪声。 较低的RDS(ON), Ciss 和 Crss参数使得该系列产品完美地适用于高性能高可靠性的产品。

“对产品可靠性和输出效率的要求与日俱增，电源工程师对高压MOSFET的要求也越来越苛刻：既要能承受较大的反向恢复电流，又要能同时降低开关损耗与导通损耗”，万国半导体功率器件产品线副总裁Yalcin Bulut提到：“AlphaMOS II系列，其特殊的结构不仅能满足工程师上述要求，还能帮助他们开发出更加强壮可靠的电源产品。”

AOTF11C60 技术参数：

600V N-channel MOSFET

RDS(ON) < 0.4 Ohms max at VGS = 10V

COSS = 108 pF typ

Qg (10V) = 30 nC typ

AOTF20C60技术参数：

600V N-channel MOSFET

RDS(ON) < 0.25 Ohms max at VGS = 10V

COSS = 190 pF typ

Qg (10V) = 52 nC typ

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