600伏，0.04A  N沟道MOSFET

AO3160规格书

AO3160描述

The AO3160 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.

该AO3160采用先进的高电压制这是旨在提供高水平的MOSFET工艺在流行的AC-DC的性能和耐用性应用程序。

By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this device can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

通过提供低RDS(上),独联体和crs保证雪崩能力这个设备可以迅速应用到新的和现有离线电源设计。

AO3160概要

VDS：700V@150℃

ID (at VGS=10V) ：0.04A

RDS(ON) (at VGS=10V)： < 500Ω

RDS(ON) (at VGS=4.5V) ：< 600Ω

AO3160原理图

Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted

AO3160热特性

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