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AOS推出功率场效应管AO3162系列
文章来源：亿芯盛电子发布日期：2016-07-18
| 型号 | 品牌 | 封装 | 批号 | 备注 |
| AO3162 | AOS万代 | SOT23-3 | 14+ | Original全新原装 |
600伏，0.034A N沟道MOSFET
AO3162规格书
AO3162产品描述
The AO3162 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.
By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this device can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.
AO3162产品概要
VDS：700V@150℃
ID (at VGS=10V)：0.034A
RDS(ON) (at VGS=10V)：< 500Ω
AO3162原理图
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
AO3162热特性
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