万国半导体AOS推出新产品AOC3860，为一颗12V耐压共漏的双N沟道MOSFET，驱动电压在4.5V的情况下Rss典型值为2.15mOhm。AOC3860进一步减小保护模块MOSFET源源电阻，这正是当今智能手机制造商所需以更高的充电电流实现更快的电池充电的关键因素。

MOSFET是电池充电电路的关键部分，其需要以最小的功率损耗和温度升高提供可靠的保护。AOC3860是AlphaDFN™系列（这是一个在电池保护模块市场充分验证的产品系列）中最新，具有最佳的Rss和最小的安装尺寸的产品。典型的RSS在4.5V电压2.15mohm，与3.8V电压2.25mohm。进一步将芯片尺寸减小到3.05x1.77mm。

AOS的MOSFET资深市场总监冯雷说：“AOC3860是我们不断提高技术工艺和产品性能方面做出努力的一个很好的案例，AOC3860同我们以前发布的产品相比，降低了10% Rss的同时减小了14% 的尺寸。这些都充分体现了我们对材料以及设备设计，生产管控和封装技术的改进和提高。电池设计工程师将会发现AOC3860非常适合大电流需求的电池”。

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