万国半导体（AOS）推出AOC3862，这是一颗具用超低内阻的共漏双N沟道的12V MOSFET（在4.5V驱动电压的情况下RSS典型值为2.38mOhm）该产品提供最佳的源-源电阻（Rsson），为电池保护电路设计者设计更低的压降和温升的电池保护模块成为可能。

AlphaDFN™ 系列MOS提供背面保护,其可以有效的提高小封装在PCB贴片的可靠性和安全性。AOC3862特别适合于高容量电池组，这几乎适用所有的新型智能手机。

在过去的两年里，在智能手机电池组的设计中，两个技术因素完全改变了保护电路的设计。首先，采用更高的充电电流，这可以极大的缩短了电池的充电时间。第二，设计师们正在利用尽可能多的空间，以尽可能的提高电池容量。这些因素决定了在有效的空间内尽可能控制温升在最低水平对设计师提出了额外的挑战。AOC3862具有非常低的RSS，在驱电压在4.5V驱动情况下RSS 典型值为 2.38mOhm, 3.8V 驱动情况下 RSS为 2.5mohm，这是通过减小沟道电阻和分布电阻来实现的。这颗器件提供的封装是AlphaDFN 3.55X1.77mm。该封装技术进一步提高了功耗，同时有效的提高表面贴装的易用性并对芯片提供更好的保护。

AOS MOSFET产品线资深市场总监冯雷提到：“保持电池组中的低温是延长电池寿命和更安全的操作的关键。一个电池保护板被限制在一个非常有限的电池组空间内，所以散热总是一个大的问题。AOC3862被设计为一个超低的RSS产品。该产品为设计师在考虑如何把热量散出去的时，提供一个从根源上减小热产生的方式，从而实现最小温升。”

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