AOS提供采用DFN5x6和Micro-DFN3.2x2封装以及共漏极配置的双通道MOSFET系列。这些器件适用于电池组应用，其中两个N沟道MOSFET背靠背连接，以确保安全充放电并提供电压保护。这些产品实现了在10V栅极驱动下还不到10mΩ的超低RSS（源到源电阻）。AON6810、AON6812和AOC4810为增强最新一代超极本、平板电脑中的电池组性能提供了理想的解决方案，满足了这些应用中电池寿命优化所必需的低导通损耗要求。

AON6810、AON6812和AOC4810使用AlphaMOS™技术来实现较低的RDS(ON)和4kVESD保护，以增强电池组安全。AON6810和AON6812使用露底式DFN5x6封装，可增强散热能力。AON6812在10V电压源驱动下具有低至8mΩ的最大总RSS电阻。该器件具有30V额定击穿电压，能够充放电笔记本电脑的电池组，具有最少的功率损耗和热耗散。AON6810使用内部温度检测二极管提供更高一级的保护，为电池控制IC提供第一手的热信息。通过利用AON6810的温度检测引脚，设计人员可以实时精确监控MOSFET的热状况，以防任何异常过热。

为了满足超薄电池组的要求，AOC4810充分利用了AOS创新的微型DFN封装，这种封装超扁平，仅0.4mm厚。与传统的CSP（芯片级封装）不同，微型DFN的硅包封为内核提供了全面的保护并作了出色的防潮隔离处理，因而消除了内核修整的风险。当板空间是主要关注因素时，AOC4810就是理想的选择，可进一步增强功率密度。AOC4810尺寸仅为3.2mmx2mm，最大RSS级别达8.8mΩ，最大程度地降低了传导损耗和散热需要。

特性和优势：

沟槽式功率AlphaMOS(αMOSLV)技术

很低的RDS(ON)（VGS为4.5V时）

低栅极电荷

ESD保护

符合RoHS规范且无卤素

共漏

集成温度检测二极管

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