万国半导体（AOS）推出新一代的高效PairFET AOE6930，AOE6930非对称封装集成了高端和低端MOSFET，采用了AOS最新的硅技术来优化导通电阻和开关特性，当为CPU内核供电时，在全输出范围可以获得最高效率。AOE6930的新封装采用了XSFET技术，使得器件散热有额外的优势，在计算，通讯，和高功率密度的负载点电源应用上都是理想的选择。

最新一代的CPU要求为每一个核单独供电，这为电源设计工程师带来了挑战，他们不得不将更多的DC/DC转换电路放在几乎没有变化的面积上，同时还要改善总效率，作为最重要的功率转换器件,具有极低的导通电阻，最低的开关损耗，低热阻而紧凑的封装对满足设计目标是极其重要的。AOE6930在5mm×6mmDFN 封装内集成了高端和低端MOSFET，其导通电阻最大值分别是7毫欧和1.05毫欧。低端MOSFET源极可直接接在与PCB地平面相连的裸露焊盘上，该特性给电路设计人员带来了散热性能提升的重大好处，对一台笔记本电脑进行设计测试，输入电压典型值19.5V,输出1.2V 21A，和市场现有的方案相比，器件带来的效率改善超过1%，温升下降多达8度。

AOS的MOSFET产品线市场总监冯雷说：“AOE6930 开创了AOS为CPU内核供电电源解决方案的一个新时代，该器件是在该领域AOS硅片和封装技术及其与应用技术深入优化的伟大结合，在效率和散热性能上已经显示出比现有方案的优势。该器件并不局限于PC应用，在其他对效率和热设计要求业界最佳性能的高频PWM开关电路，也是一个良好的解决方案。”

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