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AOS推出1350V高性能IGBT:AOK20B135D1
万国半导体(AOS)推出AOK20B135D1,扩充其新的1350V Alpha IGBT™家族。AOK20B135D1是一款针对如电磁炉、电磁饭煲、变频微波炉等软开关家电应用进行优化的高性能IGBT。
采用最新专利技术制造的AOK20B135D1具有业界领先的低饱和电压和快速关断性能,能有效降低导通损耗和开关损耗。1350V最小额定耐压BVCES可以提供更多的安全余量,防止在电压瞬变时发生雪崩破坏,此外该器件软关断电流波形非常平滑,EMI干扰大大减小。
“与传统电热丝、燃气加热方式相比,感应加热的效率更高,更安全,更省时;合理选用IGBT是提高整个系统的能效和长期可靠性的关键。”AOS中压、高压产品线副总裁Brian博士表示,AOK20B135D1为设计人员提供低饱和压降和优化开关特性的理想性能组合,从而减少发热,提高系统性能。
【AOK20B135D1技术亮点】
• 1350V IGBT 和低正向压降的续流二极管一起封装在TO-247中。
• 饱和电压VCE(SAT)= 1.57V(典型值)(行业内最低)
• 二极管正向压降VF = 1.46V(典型值)
• 额定电流IC (100°C) =20A
• 关断损耗EOFF = 1.05mJ
• 最高结温TJ(max) = 175°C
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