万国半导体（AOS）推出具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。

产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长电池的使用寿命，还可以使设计变的更简单紧凑，适用于便携式产品，例如：平板电脑、智能手机，电子书、笔记本电脑、数码相机及便携式音乐播放器。

AON7421和AON7423是20V P沟道MOSFET，它们的RDS（ON）是目前市面上具有相同封装的同类产品中最低的。在栅极电压为2.5V时，AON7421的RDS（ON）比其它竞争者要低20%。AON7423是一款低开启门限电压的MOSFET，低至1.5V，适合应用在低电压范围的负载切换。所有的产品都是无卤的而且出厂时会100%检测Rg和UIS。

AOS低压MOS的负责人Peter Wilson介绍：“AOS长期致力于给客户提供高效能的电源解决方案。这个系列的20V P沟道AlphaMOS产品设定了高功率密度和高效能的新基准，符合了延长电池寿命的要求。”

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