功率半导体及芯片供应商AOS推出采用DFN8x8封装的600V 110mOhm和140mOhm αMOS5™超结高压MOSFET。αMOS5是AOS的最新一代高压MOSFET，旨在满足快速充电器、适配器、PC电源、服务器、工业电源、电信和超大规模数据中心应用的高效率和高密度需求。

AOS发布的AONV110A60和AONV140A60是两个 600V 低阻抗型号的MOSFET，采用DFN8x8（ 8mm x 8mm x 0.9mm）开尔文驱动的封装。与 D2PAK、DPAK 或 TO-220(F) 等其他封装相比，DFN8x8是一种更紧凑的封装，可提供均衡的封装面积和散热。64mm²的封装面积使 AONV110A60 和 AONV140A60 成为有源桥和高密度 PFC/Flyback /LLC 架构应用的理想选择。在内部基准测试中，AOS将 4 x AONV110A60 与典型的 8A GBU806 二极管整流桥在 300W 90Vac 情况下进行了比较，采用 AONV110A60 的有源桥解决方案将功率损耗降低了近 50%（采用有源桥的损耗为 3.16W，而采用传统二极管整流桥的损耗为 6.12W），并将效率提高了 1.1%。这两款 DFN8x8 器件还非常适合仅具有 PFC 和 LLC 架构的应用，与 D2PAK 相比，封装面积和高度分别减少了 57% 和 80%。

除了服务器应用，AONV110A60和AONV140A60还针对太阳能微型逆变器和超薄适配器应用。微型逆变器开始采用通过一个逆变器从两个面板转换太阳能的设计趋势，虽然额定功率加倍，但系统尺寸通常不会加倍。DFN8x8 封装器件可以通过并联而降低有效 Rdson 以及相应的功率损耗来帮助实现这一目标。DFN8x8 的开尔文驱动在高开关频率（fsw）逆变器设计中非常受青睐，在高频设计中，开关损耗更为显著，需要使之最小化。在纤薄的适配器设计中，DFN8x8 器件与高开关频率控制器和平面变压器一起，可以轻松地将系统密度推升至 20W+/in3，并达到高达 93%+ 的效率（使用有源桥式电路解决方案）。

AOS高压 MOSFET 产品线总监 Richard Zhang 表示：“多年前，我们难以想象高压 DFN8x8 封装器件会被广泛应用在 400W 以上的服务器系统，甚至有限应用在低功率 SMPS 中，因为人们习惯于插件式或更大的封装，例如 TO-220(F) 或 D2PAK。随着越来越多的 DFN8x8 器件用于有源桥、PFC、半桥和全桥拓扑应用，电源设计概念发生了巨大而迅速的变化。DFN8x8 封装器件的价值定位很明确，它是一种具有更小的外形尺寸、更好的开关性能（Low Eon）、更高的系统可靠性（Low Gate Ringing）和更简单板端规划的高压 SMD 封装。AOS 将继续为我们的客户提供差异化的解决方案，以最好地满足从低功率通用充电到大功率服务器、太阳能和电信整流器的应用需求和任务配置”。

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