功率半导体及芯片供应商万国半导体AOS推出的AOZ5006是一个高效率的6mm×6mm功率MOSFET模块，完全兼容英特尔的DrMOS规范。它也集成了一个双栅极驱动器和高低侧MOSFET，以提供一个高效率的DC-DC同步降压功率级。它可用来实现高功率密度的降压解决方案，适合于服务器、图形卡和高端台式PC应用市场。

AOZ5006采用了AOS专有的最新沟道MOSFET技术来在开关和导通损耗之间实现一个最佳的平衡。与此同时，它还利用AOS先进的封装技术来进一步改善效率和热性能。在一个典型的开关频率为300KHz的12V输入到1.2V输出应用中，它允许在21A输出时达到超过90%的效率。与TI的NexFET模块性能相当接近。

“AOZ5006可满足高端计算应用不断上升的功率密度要求，而且整个解决方案的尺寸与分立解决方案相比可减小三分之二。”AOS功率IC产品部产品营销总监Song Qu说，“此外，栅极驱动器和MOSFET之间的寄生电感也降到了最小，从而允许高达1MHz的开关频率和更快的动态响应时间。”

AOZ5006可与广泛的模拟和数字PWM控制器一起工作，采用QFN封装，外形尺寸为6×6mm。

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