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ATC电容700E系列高密度NPO陶瓷高射频功率多层电容在高射频电流和电压条件下使用时,此系列高Q值多层电容具有超高的稳定性。
ATC电容700B系列高密度陶瓷和NPO陶瓷多层电容具有优越的自谐振频率和电容随温度变化为零的特征,包括射频功率,因此适用于要求最小电容漂移的射频和微
ATC电容700A系列高密度陶瓷和NPO陶瓷多层电容具有优越的自谐振频率和电容随温度变化为零的特征。
ATC电容100C系列高密度陶瓷高射频功率多层电容在高射频电流和电压条件下使用时,此系列高Q值多层电容具有超高稳定性。
ATC电容100E系列高密度陶瓷高射频功率多层电容在高射频电流和电压条件下使用时,此系列高Q值多层电容具有超高稳定性。
ATC电容116系列微电容-116系列单层电容的四个侧面是常规垂直侧面,与侧面有斜度的其他系列相比,能以相同面积提供最大容值。
ATC电容100B系列高密度陶瓷Surperchip®多层电容工作温度可达到175℃。100B系列是采用高密度陶瓷(MgTiO3)材料制成因而使其电容结构坚固,气密封装。
ATC电容116系列使用MAXX-KTM介质,介质是X7R类介质其中的一种,电容温度系数为±15%,在相同单位电极面积下提供最大的容值。