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功率半导体及芯片供应商AOS万国半导体推出业界第一个单N沟道45V MOSFET：AON6152， 在10V Vgs 时Rdson可达到超低1.15mohm。
功率半导体及芯片供应商万国半导体（AOS）推出AOZ5049，是AOS第四代第一款EZPair封装的高效率功率模块。
村田制作所扩大了温度补偿用多层陶瓷电容器 1206尺寸 (3.2×1.6mm) 、25V产品的静电容量，从0.022μF提升至0.47μF。
村田制作所实现了0805尺寸 (2.0×1.25mm) 、125℃保证、10μF、25V的多层陶瓷电容器的商品化。
村田制作所实现了0201尺寸(0.6×0.3mm)、0.1μF高温保证(125℃/X7S特性/16V)的多层陶瓷电容器的商品化。
为了解决这个问题，村田公司对于安装在所有电子设备中的多层电容器，实施了125℃保证和完成了大容量化的产品。
国巨官网消息，2016年8月国巨公司合并营收为NT$25.4亿元，较上月成长1.6%，较去年同月则成长8.2%。
在阻抗匹配时，如想要获得更好的特性，要在最适合化设计时对L值进行微调。村田公司在0.4至4.3nH范围内实现了0.1nH间隔的产品线，可构成更适合的匹配电路。
